Publikationen

Veröffentlichungen in referierten Zeitschriften

  1. U. Bovensiepen, C. Gahl, J. Stähler, M. Bockstedte, M. Meyer, F. Baletto, S. Scandolo, X.-Y. Zhu, A. Rubio und M. Wolf, J. Phys. Chem. C 113, 979 (2009),
    A dynamic landscape from femtoseconds to minutes for excess electrons at ice-metal interfaces

  2. M. Bockstedte, A. Gali, A. Mattausch, O. Pankratov und J. W. Steeds, phys. stat. sol. (b) 245, 1281 (2008),
    Identification of intrinsic Defects in SiC: Towards an understanding of defect aggregates by combining theoretical and experimental approaches

  3. M. Bockstedte, A. Marini, A. Gali, O. Pankratov und A. Rubio, Mater. Sci. Forum 285, 600 (2009),
    Defects identified in SiC and their implications

  4. G. Pensl, F. Schmid, S. Reshanov, H. Weber, M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov, T. Ohshima und H. Itoh, Mater. Sci. Forum, 556-557, 307 (2007),
    (Nitrogen-Vacancy)-Complex Formation in SiC: Experiment and Theory

  5. A. Gali, T. Hornos, M. Bockstedte und T. Frauenheim, Mater. Sci. Forum 556-557, 439 (2007),
    Point defect aggregation in Silicon Carbide

  6. A. Mattausch, M. Bockstedte, O. Pankratov, J. W. Steeds, S. Furkert, J. M. Hayes, W. Sullivan und N. G. Wright, Phys. Rev. B 73, 161201(R) (2006),
    Thermally stable carbon-related centers in 6H-SiC: Photoluminescence spectra and microscopic models

  7. F. Schmid, S. A. Reshanov, H. B. Weber, G. Pensl, M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov, T. Ohshima und H. Itoh, Phys. Rev. B 74, 245212 (2006),
    Deactivation of nitrogen donors in silicon carbide

  8. N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya, A. Gali, M. Bockstedte, B. Magnusson, A. Ellison, N. Morishita, T. Oshima, H. Itoh und E. Janzén, Phys. Rev. Lett. 96, 055501 (2006),
    Divacancy in 4H-SiC

  9. T. Umeda, N. T. Son, J. Isoya, E. Janzén, T. Ohshima, N. Morishita, H. Itoh, A. Gali und M. Bockstedte, Phys. Rev. Lett. 96, 145501 (2006),
    Identification of the carbon antisite-vacancy pair in 4H-SiC

  10. M. Bockstedte, A. Gali, T. Umeda, N. T. Son, J. Isoya und E. Janzén, Mater. Sci. Forum 527-529, 539 (2006),
    Signature of the negative carbon vacancy-antisite complex

  11. A. Gali, M. Bockstedte, N. T. Son, T. Umeda, J. Isoya und E. Janzén, Mater. Sci. Forum 527-529, 523 (2006),
    Divacancy and its Identification: Theory

  12. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 527-529, 621 (2006)
    Kinetic mechanisms for the deactivation of nitrogen in SiC

  13. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Kinetic aspects of the interstitialmediated boron diffusion in SiC, Mater. Sci. Forum 483-485, 527 (2005)

  14. A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 483-485, 523 (2005),
    Ab initio study of dopant interstitials in 4H-SiC

  15. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 457-460, 715 (2004),
    The Solubility and Defect Equilibrium on the n-Type Dopants Nitrogen and Phosphorus in 4H-SiC: A Theoretical Study

  16. A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov, Phys. Rev. B 70, 235211 (2004),
    Structure and Vibrational Spectra of Carbon Clusters in SiC

  17. A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 457-460, 449 (2004),
    A Theoretical Study of Carbon Clusters in SiC: a Sink and a Source of Carbon Interstitials

  18. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Phys. Rev. B 70, 115203 (2004),
    Different role of carbon and silicon interstitials in the boron diffusion in SiC

  19. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Appl. Phys. Lett. 85, 58 (2004),
    Solubility of nitrogen and phosphorus in 4H-SiC: a theoretical study

  20. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Phys. Rev. B 69, 235202 (2004),
    Ab initio study of annealing of vacancies and interstitials in cubic SiC: Vacancy-interstitial recombination and aggregation carbon interstitials

  21. A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov, Phys. Rev. B 69, 45322 (2004),
    Carbon antisite clusters in SiC: A possible pathway the DII center

  22. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Phys. Rev. B 68, 205201 (2003),
    Ab initio study of the migration of intrinsic defects in 3C-SiC

  23. M. Bockstedte, M. Heid und O. Pankratov, Phys. Rev. B 67, 193102 (2003),
    Signature of intrinsic defects in SiC: ab inito calculation of hyperfine tensors

  24. M. Bockstedte, M. Heid, A. Mattausch und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 433-436, 471 (2003),
    Identification and annealing of common intrinsic defect centers

  25. S. Walter, R. Bandorf, W. Weiss, K. Heinz, U. Starke, M. Strass, M. Bockstedte und O. Pankratov, Phys. Rev. B 67, 85413 (2003),
    Chemical termination of the CsCl-structure FeSi/Si(111) film surface and its multilayer relaxation

  26. M. Bockstedte, S. J. Liu, O. Pankratov, C. H. Woo und H. Huang, Comput. Mater. Sci. 23, 85 (2002),
    Diffusion of Clusters Down (111) Aluminum Islands

  27. M. Bockstedte, M. Heid, A. Mattausch und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 389-393, 471 (2002),
    The nature and diffusion of intrinsic point defects in SiC

  28. A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov, Physica B 308-310, 656 (2001),
    Interstitials in SiC: a model for the DII center

  29. A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 353-356, 323 (2001),
    Self Diffusion in SiC: the Role of intrinsic Point Defects

  30. M. Hofmann, M. Bockstedte und O. Pankratov, Phys. Rev. B 64, 245321 (2001),
    Efficient self-consistent method using basis splines for the investigation of interacting two-dimensional electrons in a random impurity potential

  31. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 353-356, 447 (2001),
    Boron in SiC: structure and kinetics

  32. M. Bockstedte und O. Pankratov, Mater. Sci. Forum 338-342, 949 (2000),
    Ab initio study of intrinsic point defects and dopantdefect complexes in SiC: Application to boron diffusion

  33. M. Fuchs, M. Bockstedte, E. Pehlke und M. Scheffler, Phys. Rev. B 57, 2134 (1998),
    Aspects of the pseudopotential approximation in the valuation of approximate density-functional schemes: Binding properties of solids within generalized gradient approximations

  34. M. Bockstedte, A. Kley, J. Neugebauer und M. Scheffler, Comp. Phys. Comm. 200, 107 (1997),
    Density-functional theory calculations for poly-atomic systems: Electronic structure, static and elastic properties and ab initio molecular dynamics

  35. M. Bockstedte und M. Scheffler, Z. Phys. Chem. 200, 195 (1997),
    Theory of Self-diffusion in GaAs

  36. A. Groß, M. Bockstedte und M. Scheffler, Phys. Rev. Lett. 79, 701 (1997),
    Ab initio molecular dynamics study of the desorption of D2 from Si(001)

  37. N. Moll, M. Bockstedte, M. Fuchs, E. Pehlke und M. Scheffler, Phys. Rev. B 52, 2550 (1995),
    Application of generalized gradient approximations: The diamond to beta-tin phase transition in Si and Ge

  38. M. Bockstedte und S. F. Fischer, J. Phys. Cond. Matt. 5, 6043 (1993),
    Localization phase diagram for a disordered system in a magnetic field in two dimensions

Buchkapitel

  1. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Defect Migration and Annealing Mechanisms, in Silicon Carbide: Recent major Advances, Hrsgb. W. J. Choyke, H. Matsunami und G. Pensl (Springer, Berlin, 2003), Kap. 2, S. 27

Konferenzbände

  1. M. Bockstedte, Modeling of Atomistic Processes in Semiconductors: from Defect Signatures to a Hierarchy of Annealing Mechanisms, in Multiscale Modeling of Materials, Vol. 978E of Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Hrsgb. R. Devanathan, M. J. Caturla, A. Kubota, A. Chartier und S. Phillpot (Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Warrendale, PA, 2007)
  2. M. Bockstedte, M. Mattausch und O. Pankratov, Boron in SiC: a surprising impurity center, in Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vol. 87 of Springer Proceedings in Physics, Hrsgb. N. Miura und T. Ando (Springer, Berlin, 2000), S. 1391.
  3. M. Bockstedte, A. Mattausch und O. Pankratov, Self diffsuion in SiC: the role of intrinsic point defects, in Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vol. 87 of Springer Proceedings in Physics, Hrsgb. N. Miura und T. Ando (Springer, Berlin, 2000), S. 1437.
  4. A. Groß, M. Bockstedte und M. Scheffler, Ab initio molecular dynamics study of the desorption of D2 from Si(001), in 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Hrsgb. M. Scheffler und R. Zimmermann (World Scientific, Singapure, 1996)


Lehrstuhl für Theoretische Festkörperphysik - Institut für Theoretische Physik IV - Staudtstr. 7-B2 - 91058 Erlangen
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